電子感應(yīng)水處理器簡介
Z央空調(diào)系統(tǒng)的運(yùn)行需大量的水作為傳導(dǎo)介質(zhì)。水在系統(tǒng)中經(jīng)長期運(yùn)行中會(huì)對(duì)機(jī)組設(shè)備產(chǎn)生腐蝕、結(jié)垢、微生物(細(xì)菌、藻類)滋生和粘泥沉積等問題,這些問題不僅會(huì)使空調(diào)的各種能耗增加,還會(huì)影響空調(diào)系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行,縮短系統(tǒng)的使用時(shí)長。電子感應(yīng)水處理器可廣泛應(yīng)用于Z央空調(diào)系統(tǒng)、工業(yè)冷卻系統(tǒng)、熱交換系統(tǒng)、熱水鍋爐系統(tǒng)及其它各種用水設(shè)備系統(tǒng)。
電子感應(yīng)水處理器原理介紹以碳酸鈣(鎂)為例,本技術(shù)同樣適用于硫酸鹽和硅酸鹽等 。
碳酸鈣(鎂)晶體在水中有兩種存在形式,一種是方解石(見圖1),它的粘附性很強(qiáng),晶體顆粒較大;另外一種是文石(也稱為霰石,見圖2),它的粘附性很弱,晶體顆粒較小。
結(jié)垢:當(dāng)水中的礦物質(zhì)含量超過其飽和溶解度時(shí),鈣(鎂)離子和酸根離子(統(tǒng)稱成垢離子)就會(huì)析出形成方解石并粘附在器壁上生成水垢,同時(shí)水垢也在不斷的溶解成離子重新回到溶液中;當(dāng)離子析出形成水垢的速度快于水垢溶解成離子的速度時(shí),垢層厚度逐漸增長;當(dāng)二者速度相等時(shí),垢層厚度不再增長,反之垢層厚度逐漸減少。
防垢:電子感應(yīng)水處理器通過主機(jī)在水中產(chǎn)生一個(gè)頻率、強(qiáng)度都按一定規(guī)律變化的感應(yīng)電磁場。該電磁場使水中的成垢離子結(jié)合成大量的文石晶核,當(dāng)水中礦物質(zhì)含量超過水的飽和溶解度時(shí),成垢離子就會(huì)析出并優(yōu)先生長在這些晶核上形成文石晶體,這樣向器壁上析出水垢的趨勢(shì)被轉(zhuǎn)化成向懸浮在水中的大量文石晶核上析出形成文石晶體,這些文石晶體的粘附性很弱,呈松軟絮狀,懸浮在水中,很容易被水流沖走,這樣就達(dá)到了防垢的目的。
除垢:原來器壁上的垢仍在不斷的向水中溶解, 在AV的作用下,成垢離子向器壁上的析出變成向懸浮在水中的大量文石晶核上析出,即大量的文石晶體析出取代了方解石晶體析出,原水垢逐漸溶解,由于溶解速度不均,垢會(huì)變得疏松并脫落,被水流沖走。
活化作用:該電磁場同時(shí)破壞了水分子間的氫鍵,水的大分子團(tuán)被打碎,形成了大量的小水分子團(tuán),水的表面張力變低,水的活性增強(qiáng),水的溶解度提高,滲透力增強(qiáng)。
殺菌機(jī)理:水垢是細(xì)菌的滋生地,清理了水垢,也就清理了細(xì)菌的滋生地;并且水中的感應(yīng)電場破壞了細(xì)菌的細(xì)胞壁,使其難以生存;處理后的水溶解能力提高,水中溶氧量會(huì)提高,會(huì)限制厭氧菌的生成。除銹防蝕機(jī)理:水銹在感應(yīng)電磁場的作用下被清理后,在水管內(nèi)壁形成一層金屬氧化膜,這層氧化膜會(huì)阻止新的水銹生成。
應(yīng)用范圍
油田聯(lián)合站、集輸站、加熱爐、注水系統(tǒng)
有色冶金,鋼鐵廠冷卻系統(tǒng)、換熱系統(tǒng)
石化、化工廠換熱器、冷卻系統(tǒng)
火電廠冷卻系統(tǒng)
啤酒廠、飲料廠洗瓶線、換熱器
造紙廠蒸發(fā)器、換熱器
污水系統(tǒng)、環(huán)保設(shè)備
真空爐、真空泵
Z央空調(diào)循環(huán)冷卻系統(tǒng)
游泳池的取暖系統(tǒng)、過濾系統(tǒng)和消毒系統(tǒng)
農(nóng)業(yè)灌溉系統(tǒng)
家庭飲用水系統(tǒng)
特點(diǎn)優(yōu)勢(shì)
1、防垢:防止管道及設(shè)備(鍋爐、熱交換器、冷卻塔等)結(jié)垢;
2、除垢:逐步去除管道系統(tǒng)中已存在的水垢;
3、將線圈纏繞在管道上即可,無須隔開管道,無安裝后遺癥;
4、適用于金屬和非金屬管道;
5、運(yùn)行費(fèi)用低,僅耗極少量電費(fèi);
6、與工藝介質(zhì)不接觸,免維護(hù);
7、省去除垢劑、緩蝕劑,節(jié)省人工除垢費(fèi)用,減少停產(chǎn)時(shí)間;
8、同時(shí)具有殺菌、緩蝕作用;
9、改善熱傳遞效率,節(jié)約能源達(dá)30%-50%,節(jié)省能源費(fèi)用;
10、應(yīng)用于管道的外徑從DN15-DN1500;
11、設(shè)備時(shí)長:20年
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